حسینی, زهرا, بابایی, آذین. (1400). استفاده از نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت. دوماهنامه علمی - پژوهشی رهیافتی نو در مدیریت آموزشی, 12(44), 53-64. doi: 10.30495/jnm.2021.28790.1935
زهرا حسینی; آذین بابایی. "استفاده از نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت". دوماهنامه علمی - پژوهشی رهیافتی نو در مدیریت آموزشی, 12, 44, 1400, 53-64. doi: 10.30495/jnm.2021.28790.1935
حسینی, زهرا, بابایی, آذین. (1400). 'استفاده از نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت', دوماهنامه علمی - پژوهشی رهیافتی نو در مدیریت آموزشی, 12(44), pp. 53-64. doi: 10.30495/jnm.2021.28790.1935
حسینی, زهرا, بابایی, آذین. استفاده از نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت. دوماهنامه علمی - پژوهشی رهیافتی نو در مدیریت آموزشی, 1400; 12(44): 53-64. doi: 10.30495/jnm.2021.28790.1935
استفاده از نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت
1دانشکده فناوریهای نوین، دانشگاه شیراز، شیراز، ایران
2پژوهشکده علوم مولکولی، دانشگاه والنسیا، پترنا، اسپانیا.
تاریخ دریافت: 03 شهریور 1400،
تاریخ بازنگری: 25 مهر 1400،
تاریخ پذیرش: 21 آذر 1400
چکیده
چکیده
کربن یک عنصر فراوان در طبیعت و نسبتا ارزانقیمت است که میتواند هزینه ساخت سلول خورشیدی را بطور قابل توجهی کاهش دهد. در سالهای اخیر ترکیبات کربنی بطور ویژه جهت استفاده در سلول خورشیدی پروسکایت مورد توجه و بررسی قرار گرفتهاند. در این تحقیق، نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت مسطح مورد استفاده قرار گرفتهاند. بدین منظور، نقاط کوانتومی اکسید گرافن به روش هیدروترمال سنتز شدهاند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی عبوری از این ذرات نشان میدهد که اندازه نقاط کوانتومی اکسید گرافن کوچکتر از ۱۰ نانومتر میباشد. این نقاط کوانتومی سپس جهت ساخت سلول خورشیدی با ساختار ITO/GOQD/MAPbI3/Spiro-OMETAD/Ag، به روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیرلایه اکسید قلع-ایندیوم (ITO) لایه نشانی میشوند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی و آنالیز پراش پرتو ایکس از لایه پروسکایت نشان میدهند که این لایه با ساختار کریستالی مناسب، به صورت یکنواخت و پیوسته بر روی لایه نقاط کوانتومی اکسید گرافن لایه نشانی شده است. همچنین، بررسی شدت نورتابی لایه پروسکایت لایه نشانی شده بر روی نقاط کوانتومی اکسید گرافن، در مقایسه با شدت نورتابی لایه پروسکایت بر روی ITO نشان میدهد که انتقال الکترون از لایه پروسکایت به نقاط کوانتومی اکسید گرافن بطور موثری اتفاق میافتد و در نتیجه نورتابی لایه پروسکایت در حالت مجاورت با لایه نقاط کوانتومی اکسید گرافن به میزان قابل توجهی کاهش مییابد. سلول خورشیدی پروسکایت مسطح ساخته شده، عملکرد بسیار مناسبی با مشخصات جریان اتصال کوتاه (Jsc) mA/cm2 ۹/۲۱، ولتاژ مدار باز (Voc) V ۰۲/۱، ضریب پرشدگی (FF) ۶۷/۰ و بازده تبدیل توان (PCE) % ۱۵ نشان میدهد. این نتایج بیانگر ویژگی مناسب نقاط کوانتومی اکسید گرافن به عنوان ماده انتقالدهنده الکترون در سلول خورشیدی پروسکایت میباشد.
Application of Graphene Oxide Quantum Dots in Planar Perovskite Solar Cell
نویسندگان [English]
Zahra Hosseini1؛ Azin Babaei2
1Faculty of Advanced Technologies, Shiraz University, Shiraz, Iran.
2Instituto de Ciencia Molecular, University of Valencia, 46980 Paterna, Spain.
چکیده [English]
Abstract Introduction:Carbon is cheap and abundant in nature which can significantly reduce the cost of solar cell fabrication. In recent years, carbon nanostructures have gained special attention for application in perovskite solar cells. Methods:In this research, graphene oxide quantum dots (GOQDs) have been used in a planar perovskite solar cell. For this purpose, GOQDs with sizes smaller than 10 nm were synthesized by the hydrothermal method. The GOQDs were spin coated on ITO to make a planar n-i-p perovskite solar cell with the structure ITO/GOQD/MAPbI3/Spiro-OMETAD/Ag. Findings:The absorption spectrum of the GOQDs shows no overlap with absorption band of the MAPbI3 perovskite layer. Scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) analysis show that a uniform film of crystalline MAPbI3 perovskite has been formed on the GOQD layer. The best device performance achieved in this research for the planar perovskite solar cell is as follows: Jsc=21.9 mA/cm2, Voc=1.02 V, FF=0.67 and PCE=15%.
کلیدواژهها [English]
Perovskite, Solar Cell, Graphene Oxide, Quantum Dot, Planar Structure